Diseño y modelización de transistores efecto campo (FET) tipo GAA sin unión con estructura nanométrica: GAAs semiconductores compuestos uniones

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Diseño y modelización de transistores efecto campo (FET) tipo GAA sin unión con estructura nanométrica: GAAs semiconductores compuestos uniones

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Marca Ediciones Nuestro Conocimiento
EAN
  • 9786630465587

LAP LAMBERT Academic Publishing

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