Distribución de la memoria (Módulo x Tamaño): 1 x 8 GB Ancho de banda de la memoria (máx.): 17 GB/s Voltaje de programación (VPP): 2,5 V Tipo de memoria con búfer: Sin registro (sin búfer) Voltaje de la memoria: 1,2 V Cumplimiento de RoHS: Sí ECC: No Tiempo de ciclo de fila: 46,5 ns Chipsets compatibles: Intel® H110 Canales de memoria: Dual Frecuencia de reloj de la memoria: 2133 MHz Estándar JEDEC: Sí Tiempo de ciclo de actualización de fila: 260 ns Tiempo de activación de fila: 33 ns Memoria interna: 8 GB Latencia CAS: 15 Temperatura de funcionamiento (TT): 0 - 85 °C Temperatura de almacenamiento (TT): -55 - 100 °C Ancho: 133 mm Alto: 31 mm Peso: 18 g Peso del embalaje: 36 g Ancho del embalaje: 88 mm Alto del embalaje: 168 mm Disposición de los chips: 8 chips DRAM FBGA Advertencias: No abra la carcasa del módulo de memoria. Deseche el dispositivo de acuerdo con las regulaciones locales para residuos electrónicos. Proteja de temperaturas extremas.
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