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VDS(V):30 V ID: 4,2 A RDS(ON)‹50 mΩ Diseño de celda de alta densidad para una resistencia extremadamente baja Baja carga de la puerta NOTA: La exposición prolongada a los valores máximos absolutos puede afectar a la fiabilidad del componente. Utilizado en aplicaciones de alta frecuencia como amplificación de RF, procesamiento de señales y aplicaciones de gestión de energía.