SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB hasta 7,250 MB/s PCIe 4.0 x4/ 5.0 x2 NVMe M.2(2280) Disco Duro Interno (SSD) (MZ V9S2T0BW)

Precios a partir de
404,08

Destacado

Descripción

Kaufland MarcaSamsungModeloMZ-V9S2T0BWCapacidad- 2TBInterfaz- PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0Tamaño- M.2 (2280)Rendimiento- Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.000.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPSCaracterísticas- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura - SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) - Soporte WWN - Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación - Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 4,6 W / Escritura 4,2 W - Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico - Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida - Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento - Choque: 1.500 G

Comparar tiendas web (1)

Ordenar por:

404,08 €

Descripción (1)

MarcaSamsungModeloMZ-V9S2T0BWCapacidad- 2TBInterfaz- PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0Tamaño- M.2 (2280)Rendimiento- Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.000.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPSCaracterísticas- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura - SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) - Soporte WWN - Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación - Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 4,6 W / Escritura 4,2 W - Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico - Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida - Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento - Choque: 1.500 G


Especificaciones del producto

Marca Samsung
EAN
  • 8806095575650
MPN
  • MZ-V9S2T0BW


Historial de Precios

Precios actualizados por última vez el:

Elección Destacada
404,08 €
Ver oferta