Transistor 2N3055 para Toshiba 100V/15A/115W TO3 NPN
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Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT Polaridad de transistor: NPN. Configuración: Single Voltaje colector-emisor VCEO máx.: 60 V. Voltaje colector-base VCBO: 100 V. Voltaje emisor-base VEBO: 7 V. Corriente del colector DC máxima: 15 A. Producto fT para ganancia de ancho de banda: 2.5 MHz Temperatura operativa mínima: - 65 C. Temperatura operativa máxima: + 200 C Colector CC/Ganancia base hfe Min: 20 at 4 A at 4 V Pd (disipación de potencia): 115000 mW Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors, Fabricante: JORBI
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