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Aplicación: normalmente se emplea en aplicaciones de alta frecuencia como amplificación de RF, procesamiento de señales y aplicaciones de gestión de energía. Paquete: asegurado en una bolsa antiestática que ofrece protección electrostática, seguridad ESD y una vida útil prolongada. Especificaciones: voltaje del transistor de canal N: 30 V y corriente: 5,7 A, temperatura mínima -55 °C, temperatura máxima 150 °C ± 30 °C. Nota: La exposición a condiciones de clasificación máxima absoluta durante períodos prolongados puede afectar la fiabilidad del dispositivo