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Aplicación: se utiliza típicamente en aplicaciones de alta frecuencia como amplificación de RF, procesamiento de señales y aplicaciones de gestión de energía. Embalaje: asegurado en una bolsa antiestática que proporciona protección electrostática, seguridad ESD y una vida útil más larga. Especificaciones: transistor de canal N. Voltaje: 30 V y corriente: 5,7 A, temperatura mínima de -55 °C, temperatura máxima de 150 °C ± 30 °C. NOTA: La exposición del dispositivo a los máximos absolutos durante largos períodos de tiempo puede afectar a la fiabilidad.